Транзистор AP9916H

Транзистор AP9916H

Артикул: 276227

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 98 ns

Выходная емкость (Cd): 258 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

TO252

6,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276227
Новый товар

Просмотренные товары

Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 15 х 200 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 15 х 200 мм

15450
43,00 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP4951GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4951GM so8

293050
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FMA09N65GX
Полевые транзисторы

Транзистор FMA09N65GX

311919
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 177 pf...
Транзистор H4N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220

293199
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
Транзистор 2SK1611
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1611

304741
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 90 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор P0603BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P0603BDG dpak (to252)

293336
5,20 BYN
Наименование прибора: P0603BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns...
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.