Транзистор P0920ATF

Транзистор P0920ATF

Артикул: 312023

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 29 nC

Время нарастания (tr): 38 ns

Выходная емкость (Cd): 123 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220F

6,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312023

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC30S-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30S-S

276496
5,16 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 34A Корпус: D2Pak
Транзистор J476
Полевые транзисторы

Транзистор J476

276554
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 07N120
Полевые транзисторы

Транзистор 07N120

275861
15,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A TO220
Транзистор K2842
Полевые транзисторы

Транзистор K2842

276608
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Общий заряд затвора (Qg): 45 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор STK0760 to220F
Полевые транзисторы

Транзистор STK0760 to220F

293415
6,40 BYN
Маркировка: STK0760 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор H5N3011P to3p
Полевые транзисторы

Транзистор H5N3011P to3p

293206
28,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 88 A Общий заряд затвора (Qg): 95 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Транзистор 3DD5038 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 3DD5038 to3p

293004
13,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TK12A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A50D

276728
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 60NM50
Полевые транзисторы

Транзистор 60NM50

276064
53,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 560 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.