Транзистор AP4501GM

Транзистор AP4501GM

Артикул: 276195

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 5(10) ns

Выходная емкость (Cd): 150(80) pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(0.05) Ohm

Тип корпуса: SO8

2,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276195
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор FQP60N06
Полевые транзисторы

Транзистор FQP60N06

276050
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
View
Транзистор КТ819Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819Б

301095
0,80 BYN
Транзисторы КТ819Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P0920ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P0920ATF

312023
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRL520
Полевые транзисторы

Транзистор IRL520

276531
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK3342
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3342

304853
9,20 BYN
Маркировка: K3342 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор AP4533GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4533GEM

276204
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 A Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
View
Транзистор 2SK3019TL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3019TL

304836
1,20 BYN
Маркировка: KN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная...
View
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор 26NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM60N

275971
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP4435GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4435GM so8

293047
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6.6 ns Выходная емкость (Cd): 195 pf...
View
Транзистор 2SK3047
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3047

304837
45,20 BYN
Маркировка: K3047 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор SIF444
Полевые транзисторы

Транзистор SIF444

276715
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
View
Транзистор SMK0765F to220f
Полевые транзисторы

Транзистор SMK0765F to220f

293400
9,20 BYN
Наименование прибора: SMK0765F Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 19 ns...
View
Транзистор 2SJ178
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ178

304659
10,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.