Транзистор 6N60

Транзистор 6N60

Артикул: 276074

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 95 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm

DPAK

4,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276074
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КТ342
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ342

259441
2,60 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.
Транзистор 2Т985АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т985АС Au

300938
137,36 BYN
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для...
Транзистор КТ203БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ203БМ

301164
0,40 BYN
Транзисторы КТ203БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы маркируются цветным кодом.Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STD100NH03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD100NH03L dpak (to252)

293406
10,72 BYN
Наименование прибора: STD100NH03LT4 Маркировка: D100NH03L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A...
Транзистор AOD413
Полевые транзисторы

Транзистор AOD413

276165
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Транзистор IRFB38N20D (B38N20D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB38N20D (B38N20D)

265441
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm Тип...
Транзистор STN3NF06L
Полевые транзисторы

Транзистор STN3NF06L

305015
12,00 BYN
Маркировка: 3NF06L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор BUZ332A
Полевые транзисторы

Транзистор BUZ332A

312594
16,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор NTD4804N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

293333
9,20 BYN
Наименование прибора: NTD4804N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A Максимальная температура...
Транзистор IRL3715Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3715Z

276528
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275950
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPS40N60K
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS40N60K

293280
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 570 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.