Транзистор AP4951GM so8

Транзистор AP4951GM so8

Артикул: 293050

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 29.5 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 125 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.096 Ohm

10,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293050

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AP9977GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP9977GM so8

293059
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 55 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 45NM50
Полевые транзисторы

Транзистор 45NM50

276018
14,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор STM8309
Полевые транзисторы

Транзистор STM8309

276720
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 115 nC Выходная емкость (Cd): 190 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор APM4430K
Полевые транзисторы

Транзистор APM4430K

276255
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 815 pf...
Транзистор PHP8N50E
Полевые транзисторы

Транзистор PHP8N50E

279546
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Транзистор 2SK369V
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK369V

304870
21,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 40 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор 2SK2267
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2267

292969
43,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 170 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Транзистор K2605
Полевые транзисторы

Транзистор K2605

276593
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор IRFR310
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR310

276472
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AP9977GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP9977GM so8

293059
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 55 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.