Транзистор IPP60R099C6

Транзистор IPP60R099C6

Артикул: 304593
25,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 37.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 119 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 154 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO220

304593

Просмотренные товары

Транзистор IRLR2705
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR2705

275512
4,80 BYN
ксимальное напряжение сток-исток Uси,В 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 46Крутизна характеристики, S 6.4
2Д220Б1
Диоды (разные)

2Д220Б1

313464
43,20 BYN
Диоды 2Д220Б1 кремниевые быстродействующие диффузионные выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц.Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г.Тип...
2Д220А
Диоды (разные)

2Д220А

313461
8,00 BYN
Диоды 2Д220А кремниевые, диффузионные p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц Используются для работы в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса диода не более 3 г.
Диод КДС111В
Диоды (разные)

Диод КДС111В

295193
0,96 BYN
Основные технические характеристики диода КДС111В :• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В;• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;• fд - Рабочая частота диода: 20 кГц;• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 300 В

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1611
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1611

304741
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 90 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP31N50L (P31N50L)

266059
22,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFB4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4227

276437
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип...
Транзистор AOD454 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD454 dpak (to252)

293031
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 95 pf...
Транзистор IRFP4768
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4768

276465
41,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 93 A Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0175 Ohm Тип...
Транзистор FDD5614P
Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890
3,52 BYN
 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.