Транзистор IRF7465

Транзистор IRF7465

Артикул: 303165
9,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm

Тип корпуса: SO8

303165

Просмотренные товары

Транзистор IRF8313
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8313

276418
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm Тип корпуса: SO8

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFP044N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP044N

259917
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H7NK80ZFP to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7NK80ZFP to220F

293238
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STY60NM50 to218
Полевые транзисторы

Транзистор STY60NM50 to218

293426
80,00 BYN
Наименование прибора: STY60NM50 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 560 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура...
Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220

266096
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 80 nC Время нарастания (tr): 120...
Транзистор 6N70A
Полевые транзисторы

Транзистор 6N70A

312577
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4936
Полевые транзисторы

Транзистор AO4936

293018
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор RD07MUS1
Полевые транзисторы

Транзистор RD07MUS1

293353
57,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Транзистор AP4501GSD dip
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GSD dip

293048
8,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(7) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор 2SK1420
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1420

304727
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 102 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.