Транзисторы импортные

Полевые транзисторы

Транзистор H20NM60FP to220f

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Транзисторы IGBT

Транзистор H20R1202 ( 20N120R2 )

276366

16,00 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBT 1200V,20A_с диодом_with diodeНапряжение, V: 1200IGBT с диодом: С диодомТок, A: 20

Транзисторы IGBT

Транзистор H20R1203 ( 20N120R3 )

276367

16,00 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBTs 20A 1200V 180W Vcesat=1.48VНапряжение, V: 1200IGBT с диодом: Без диодаТок, A: 20

Полевые транзисторы

Транзистор H21NM60 to220f

293183

17,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H21NM60N TO247

293184

21,60 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to220

293185

8,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to220f изол

293186

8,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to247

293187

15,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188

4,40 BYN

Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...

Полевые транзисторы

Транзистор H2N60B to220f

293189

3,56 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1202 ( 30N120R2 )

274696

15,00 BYN

IGBT 30A 1200V (IGBT300 W)( Diode135 W)

Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728

17,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...

Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1602 ( 30N160R2 )

274694

32,00 BYN

IGBT 1600V 30A 312W_ with diode_с диодом

Полевые транзисторы

Транзистор H33N10 to220

293191

0,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...

Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 изол

293192

4,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193

4,40 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор H3N80 to220f

293194

4,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 57 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H3NK80ZFP to220f

293195

10,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H3NK90ZFP to220f

293196

11,00 BYN

Маркировка: P3NK90ZFP Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj):...

Полевые транзисторы

Транзистор H40N03 dpak (to252)

293197

3,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 380 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H40N06 to220

293198

9,20 BYN

Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729

25,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247

Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220

293199

4,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220f

293200

3,00 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор H4N90 to220f

293201

7,52 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор H4NK80ZFP to220f

293202

6,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 d2pak (to263)

293203

4,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 ipak (to251)

293204

2,00 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор H5N2307

293205

35,20 BYN

N-channel MOSFET,Vds=230V, Id=25A, Pd=100W

Полевые транзисторы

Транзистор H5N3011P to3p

293206

28,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 88 A Общий заряд затвора (Qg): 95 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор H5N52U to220

293207

6,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H5N80 изол

293208

4,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 100...

Полевые транзисторы

Транзистор H5NK50ZFP изол

293209

4,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H5NK60ZFP изол

293210

6,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H5NK80ZFP to220f

293211

13,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор H60N03L dpak (to252)

293212

2,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Показано 3673-3708 из 5750