Транзистор H50N03 d2pak (to263)

Транзистор H50N03 d2pak (to263)

Артикул: 293203

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

4,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293203

Просмотренные товары

Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )

275091
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Микросхема 1401УД2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1401УД2 Au

299432
91,80 BYN
1401УД2 Au представляют собой счетверенный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией и предназначены для построения усилителей постоянного и переменного токов, преобразователей, функциональных генераторов, активных фильтров, стабилизаторов напряжения.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304830
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 88N30W
Полевые транзисторы

Транзистор 88N30W

276104
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
View
Транзистор H17P06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H17P06 to220

293171
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 21 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор STU9916L
Полевые транзисторы

Транзистор STU9916L

276725
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 93 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор 14N36G3VL
Полевые транзисторы

Транзистор 14N36G3VL

275896
21,44 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор 2SK1118
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1118

268713
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 56 nC Время нарастания (tr): 25 ns...
View
Транзистор 2SK2615
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2615

304801
13,00 BYN
Маркировка: ZA Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
View
Транзистор K2277
Полевые транзисторы

Транзистор K2277

276585
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 30 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор H65N06 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H65N06 so8

293220
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
View
Транзистор TPC8107
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8107

293442
9,20 BYN
Наименование прибора: TPC8107 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 130...
View
Транзистор IRLB8314
Полевые транзисторы

Транзистор IRLB8314

312626
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.