Транзистор H2N60 to220

Транзистор H2N60 to220

Артикул: 293188

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

4,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293188

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1160B
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1160B

311539
0,80 BYN
Наименование производителя: 2SA1160B Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A...
Транзистор 60NF03L
Полевые транзисторы

Транзистор 60NF03L

276061
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Микросхема 134ЛР2АБ Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ЛР2АБ Au

299404
5,40 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ.Микросхемы 134ЛР2Б представляют собой логический элемент 2И-2И-3И-4И-4ИЛИ-НЕ.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с двусторонним расположением выводов.Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM4568J
Полевые транзисторы

Транзистор APM4568J

276260
8,48 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор IRF4104
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4104

275684
7,00 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор FKP202
Полевые транзисторы

Транзистор FKP202

276356
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRLZ44N
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ44N

276545
5,32 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 32 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm TO220
Транзистор APM4430K
Полевые транзисторы

Транзистор APM4430K

276255
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 815 pf...
Транзистор FDS4675
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4675

276330
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4953
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4953

266098
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.053 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор K2731
Полевые транзисторы

Транзистор K2731

276600
1,04 BYN
Маркировка: KL Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.