Транзистор КТ685Д

Транзистор КТ685Д

Артикул: 259500

Транзисторы КТ685Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.

1,10 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259500
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т830Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830Б Ni

301077
48,40 BYN
Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
View
Транзистор КТ3132В-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132В-2 Au

301266
1,40 BYN
Транзисторы КТ3132 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
View
Транзистор КТ802А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ802А

282656
15,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 150 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 130 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт Статический коэффициент...
View
Транзистор КП308В-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП308В-1

301538
1,20 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КП308В-1 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор 2Т506Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Ni

301013
6,00 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор 2Т316Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316Г Ni

300966
3,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор КТ3151Д9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Д9

301280
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
View
Транзистор КП750Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП750Б

301587
2,20 BYN
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП750Б предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры....
View
Транзистор КТ8115А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8115А

301510
14,00 BYN
Транзисторы КТ8115А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
View
Транзистор 2Т994А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т994А Au

300948
503,20 BYN
Транзисторы 2Т994А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности диапазона частот 1,4...1,6 ГГц в импульсном режиме в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В.Транзистор содержит согласующие цепи.Тип прибора указывается на кристаллодержателе.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ372А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ372А Au

301404
2,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
View
Транзистор КТ8156Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8156Б

259831
1,67 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами.Пpедназначены для pаботы в выходных каскадах гоpизонтальной pазвеpтки ЭЛТ, узлов и блоков аппаpатуpы шиpокого пpименения.Корпусное исполнение: корпус КТ-28-2.
View
Транзистор 2Т208М Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208М Au

300772
5,40 BYN
Транзисторы 2Т208М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035ТУ.
View
Транзистор 2Т819Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т819Б

301063
6,40 BYN
Транзисторы 2Т819Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным...
View
Транзистор МП16Б
Германиевые транзисторы

Транзистор МП16Б

294819
0,80 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная...
View
Транзистор КТ852Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ852Б

301141
0,60 BYN
Транзисторы КТ852Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не более 2,5 г.Климатическое...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.