Транзистор FERD30M45CG-TR

Транзистор FERD30M45CG-TR

Артикул: 305032
15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Количество Стежков3

Напряжение в Прямом Направлении470mV @15A

Прямой ток15 A

Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)250 A

Максимальное прямое напряжение (Макс)470mV @15A

Прямой ток (макс)30 A

Рабочая температура (Макс)200 ℃

Рабочая температура (мин)-65 ℃

Температура соединения175℃ (Max)

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-263-3

размеры

Корпус/ПакетTO-263-3

физическое

Рабочая Температура-65℃ ~ 175℃

305032

Просмотренные товары

Микросхема 564ЛА10
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛА10

264324
12,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхема 564ЛА10 представляет собой два логических элемента 2И-НЕ с открытым стоковым выходом.Содержит 30 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: бК0.347.064-24ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В.
2Д213А
Диоды (разные)

2Д213А

313450
28,48 BYN
Диоды 2Д213А кремниевые, эпитаксиально-планарные выпрямительные.Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Отрицательный электрод соединен с...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FQP60N06
Полевые транзисторы

Транзистор FQP60N06

276050
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
Транзистор AP4951GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4951GM so8

293050
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF9956
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9956

276429
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор K2679
Полевые транзисторы

Транзистор K2679

276598
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
Транзистор 26NM60N (STW26NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM60N (STW26NM60N)

265406
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF4104
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4104

275684
7,00 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.