Транзистор 2SA1232

Транзистор 2SA1232

Артикул: 302899

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: X104

20,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302899

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1282
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1282

302913
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор STW40N60M2
Полевые транзисторы

Транзистор STW40N60M2

312053
60,00 BYN
Маркировка: 40N60M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор IRFD123
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD123

276442
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1554
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1554

292919
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1322AR
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1322AR

260040
3,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
View
Транзистор TIP42C
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP42C

275814
2,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BDP954
Биполярные транзисторы

Транзистор BDP954

303744
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 475 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223
View
Транзистор TT2206 to3pm
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2206 to3pm

293446
6,00 BYN
Маркировка: TT2206 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 95 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура...
View
Транзистор 2SC3510
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3510

275383
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50 TO92
View
Транзистор BD435
Биполярные транзисторы

Транзистор BD435

293073
3,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC2310
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2310

275328
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.