Транзистор КП511Б

Транзистор КП511Б

Артикул: 301553

Для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре

1,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Масса 0.3 г
Функциональное назначение
Тип корпуса КТ-26
Мощность рассеиваемая максимально допустимая 0.75 Вт
Ток импульсный максимально-допустимый А
коллектора
стока
Ток максимально-допустимый
коллектора А
стока 0.12 А
Напряжение максимально-допустимое
коллектор-база В
эмиттер-база В
сток-исток 400 В
затвор-исток (+-)20 В
Статический коэффициент передачи тока
Коэффициент шума
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс
Сопротивление сток-исток 22 Ом в открытом состоянии
Ток утечки затвора (+-)100 мкА
Срок хранения гарантийный 12 лет
Крутизна характеристики 0.125 А/В
Сопротивление тепловое
Ток стока 250 мА
Напряжение пороговое 0.8..2 В
Ток остаточный 10 мкА стока
Температура перехода 150 °C
переход-среда 170 °С/Вт
301553

Просмотренные товары

Транзистор FDS8858
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8858

276342
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КП305Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КП305Ж

259845
10,00 BYN
Транзисторы КП305Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,32 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор КТ948А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ948А Au

301253
43,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900...
Транзистор П306М1
Транзисторы отечественные

Транзистор П306М1

301367
2,00 BYN
Транзисторы П306М1 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 10 г.
Транзистор КТ840В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ840В

301129
3,20 BYN
Транзистор КТ840В кремниевый мезапланарный переключательный, структура NPN. Предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.
Транзистор КТ837К
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837К

301123
2,00 BYN
Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор 2Т837Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837Г

300785
2,60 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
Транзистор 2Т321Д Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Д Ni

300972
1,20 BYN
Транзисторы 2Т321Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзистор 2Т842Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т842Б

300793
3,20 BYN
Транзисторы 2Т842А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с...
Транзистор 2Т653Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т653Б Ni

301025
4,20 BYN
Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине...
Транзистор КТ363А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ363А

259448
3,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора в не более 0,5 г,
Транзистор КТ368А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368А

259450
0,00 BYN
Транзисторы КТ368А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
Транзистор КТ852А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ852А

301140
1,60 BYN
Транзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не более 2,5 г.Климатическое...
Транзистор КТ640А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ640А-2 Au

301470
12,40 BYN
КТ640А-2Транзисторы КТ640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.