Транзистор КП704А

Транзистор КП704А

Артикул: 301555

Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

7,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301555

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ3126Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3126Б

301212
0,60 BYN
Транзисторы КТ3126Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума, высокочастотные.Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях аппаратуры общего назначения .
Транзистор КТ801АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ801АМ

259504
1,60 BYN
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4 г.
Транзистор 2Т827В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т827В

301071
21,60 BYN
Транзисторы 2Т827В кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.Используются для работы в узлах и...
Транзистор 2ТС393Б-1Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2ТС393Б-1Н

301020
3,20 BYN
Транзисторные сборки 2ТС393Б-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.Предназначены для применения...
Транзистор КТ9105АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9105АС Au

301222
109,80 BYN
Сборки КT9105AC из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Сборка содержит внутренние LС-звенья для...
Транзистор 2Т837Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837Б

300783
6,40 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.Основные...
Транзистор КТ972А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ972А

301271
1,80 BYN
Транзисторы КТ972А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).Масса транзистора...
Транзистор КТ3101Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3101Д

301176
0,56 BYN
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более...
Транзистор 2Т664Б9
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т664Б9

301028
14,60 BYN
Транзисторы 2Т664Б-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.На корпусах транзисторов наносят условные знаки:- 2Т664А9 - 1A,- 2Т664Б9 - 1Б,- КТ664А9 - КА,- КТ664Б9 - КБ.Тип прибора указывается в...
Транзистор КТ605БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ605БМ

301441
0,40 BYN
Транзисторы КТ605БМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Транзистор КТ918Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ918Б Au

301233
3,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: КТ918А, КТ918Б.Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры.Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с...
Транзистор 2Т819Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т819Б

301063
6,40 BYN
Транзисторы 2Т819Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным...
Транзистор 2Т117Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117Б Ni

300752
2,80 BYN
Структураn-базаМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В30Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.05Статический коэффициент передачи тока h21э мин0.65…0.9Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц0.2Максимальная рассеиваемая мощность...
Транзистор 3П324А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П324А-2 Au

301674
6,40 BYN
Транзисторы 3П324А-2 полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шоттки с каналом n-типа усилительные.Транзисторы предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.ранзистора: 4 дБ на частоте 12 ГГц
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.