Корзина
В вашей корзине больше ничего нет
+375(33)385-00-22
- интернет-магазин
+375(212)68-31-62
- юр. лица и организации
+375(33)344-01-11
- наличие в г.Витебскe
Транзистор 2Т937Б-2
Артикул: 300878
Транзисторы 2Т937Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9...5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
- 2Т937А-2 - зеленая точка и буква «А»,
- 2Т937Б-2 - белая точка и буква «Б»,
- КТ937А-2 - две зеленые точки и буква «А»,
- КТ937Б-2 - две белые точки и буква «Б».
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.339.079ТУ.
Транзисторы 2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
- 2Т937А-2 - зеленая точка и буква «А»,
- 2Т937Б-2 - белая точка и буква «Б»,
- КТ937А-2 - две зеленые точки и буква «А»,
- КТ937Б-2 - две белые точки и буква «Б».
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.339.079ТУ.
* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Основные технические характеристики транзистора 2Т937Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7,4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,45 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,2 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7,4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,45 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,2 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
300878
Просмотренные товары
В этой категории 16 товаров:
Увеличить
