Транзистор КТ315В1

Транзистор КТ315В1

Артикул: 301286

Транзисторы КТ315В1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЖК3.365.200ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления

0,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301286

Просмотренные товары

Транзистор КТ840А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ840А

259793
9,00 BYN
Транзисторы КТ840А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.
Транзистор КП707Д1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП707Д1

301559
2,00 BYN
Транзисторы КП707Д1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.Транзисторы...
Транзистор 2SK1767
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1767

304746
14,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор 2SK2544
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2544

304797
21,60 BYN
Маркировка: K2544 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ3107К
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107К

301197
0,00 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Транзистор МП16Б
Германиевые транзисторы

Транзистор МП16Б

294819
0,80 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная...
Транзистор 2Т364В-2Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т364В-2Н

300988
2,20 BYN
Транзисторы 2Т364В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.Тип прибора указывается на сопроводительной таре.Масса...
Транзистор КТ645Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Б

301476
0,40 BYN
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т360В-1Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т360В-1Н

300982
1,20 BYN
Бескорпусные высокочастотные биполярные р-п-р транзисторы малой мощности Типовое значение граничной частоты передачи тока fТ = 550 МГц Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 10 мВт Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=20В(2T360A-1); 15В(2Т360Б-1, 2Т360В-1)
Транзистор КТ3130Д9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Д9

301263
0,40 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Транзистор 2Т962А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т962А Au

300892
38,80 BYN
Транзисторы 2Т962А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Внутри корпуса имеется...
Транзистор 2Т925Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т925Б Au

300862
21,60 BYN
Транзисторы 2Т925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
Транзистор 3П915А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П915А-2 Au

301690
48,00 BYN
Транзисторы полевые 3П915А-2 арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре.Бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.Тип прибора...
Транзистор КТ816Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Б

301527
1,32 BYN
Транзисторы КТ816Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими...
Транзистор КТС3103А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС3103А1

301319
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600...
Транзистор 2Т321А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321А Ni

300969
0,80 BYN
Транзисторы 2Т321А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзистор 2Т826А ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т826А ОС

301067
5,40 BYN
Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.