Транзистор КТ801Б

Транзистор КТ801Б

Артикул: 259505

Транзисторы КТ801Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.

1,10 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259505
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ3102ЕМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102ЕМ

301189
0,72 BYN
Транзисторы КТ3102ЕМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор П306М1
Транзисторы отечественные

Транзистор П306М1

301367
2,00 BYN
Транзисторы П306М1 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 10 г.
View
Транзистор 2Т208Г Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Г Au

300763
4,80 BYN
Транзисторы 2Т208Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.
View
Транзистор 2Т888Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т888Б Ni

300829
16,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т888А, 2Т888Б предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор 2Т989Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т989Б Au

300945
43,00 BYN
Транзисторы 2Т989Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности,работающих в диапазоне частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ815А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815А

282662
1,32 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт Статический...
View
Транзистор КТ315Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Е

301291
0,80 BYN
Транзисторы КТ315Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ807Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ807Б

301503
4,00 BYN
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлопластмассовом КТ807А, КТ807Б корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзисторов не более 2,5...
View
Транзистор 2Т704А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т704А

301034
5,40 BYN
Транзисторы 2Т704А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Вывод...
View
Транзистор КТ502Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Б

301418
0,52 BYN
Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КП307Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

301537
1,20 BYN
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
View
Транзистор КТ8261А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8261А

301105
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2Т363А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т363А Au

300983
4,80 BYN
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора в не более 0,5 г,Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЩТ0.336.008 ТУ.
View
Транзистор 1Т910АД
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т910АД

300737
4,80 BYN
Транзистор 1Т910АД германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p переключательный.Предназначен для применения в мостовых преобразователях напряжения и других переключающих каскадах радиоэлектронных устройств.Выпускается в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Вывод эмиттера отмечен синей точкой на...
View
Транзистор КТ501Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ501Б Ni

301413
2,20 BYN
Транзисторы КТ501Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.