Транзистор 2Т890А2

Транзистор 2Т890А2

Артикул: 300830

Транзисторы 2Т890А-2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).

Основные технические характеристики транзистора 2Т890А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;
•

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

 fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 350 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iкэо - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы: 0,5 мА (350В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 300;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,23 Ом

300830

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор П702
Транзисторы отечественные

Транзистор П702

301384
1,20 BYN
транзисторы кремниевые мезапланарные низкочастотные структуры N-P-N. Выполнены в металло-стеклянном корпусе. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения.
View
Транзистор КТ826А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ826А

301106
3,20 BYN
Транзисторы КТ826А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...
View
Транзистор 2Т506Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Ni

301013
6,00 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор КТ3126А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3126А

301211
0,40 BYN
Транзисторы КТ3126А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума, высокочастотные.Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях аппаратуры общего назначения .Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются условным кодом - квадратом на плоской...
View
Транзистор КТ851В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ851В

301139
0,80 BYN
Транзисторы КТ851В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор КТС393Б-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС393Б-1

301322
1,80 BYN
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторовна одном кристалле с раздельными выводами.Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителяхи других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух...
View
Транзистор 2Т830Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830Б Ni

301077
48,40 BYN
Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
View
Транзистор КП745А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП745А

301577
2,60 BYN
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.КП745А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой...
View
Транзистор КТ520А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ520А

301432
0,40 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор.КТ520А предназначен для работы в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более...
View
Транзистор КТ853В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ853В

301145
1,00 BYN
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 7 Максимальная рассеиваемая...
View
Транзистор КТ844А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ844А

301133
5,40 BYN
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах  радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип...
View
Транзистор КТ662А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ662А Ni

301484
3,80 BYN
Транзистор КТ662А эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный.Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 1,5 г.
View
Транзистор КП303И
Транзисторы отечественные

Транзистор КП303И

259843
2,82 BYN
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...
View
Транзистор КТ9115
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9115

268004
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
View
Транзистор ГТ383Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ383Б-2 Au

301152
3,80 BYN
Транзисторы ГТ383Б германиевые планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Выпускаются в керамическом негерметизированном корпусе с гибкими полосковыми выводами.На крышке корпуса со стороны вывода эмиттера наносится...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.