Транзистор 2Т647А-2 Au
Транзисторы 2Т647А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В.
Транзисторы 2Т647А-2, 2Т647Б-2, бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
- 2Т647А-2 - две красные точки,
- КТ647А-2 - одна красная точка.
Транзисторы 2Т647А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.
Уважаемые покупатели!
* Цены могут отличаться от указанных на сайте.** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.165ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: NE56755, 2N6701.
Основные технические характеристики транзистора 2Т647А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 560 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 90 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,2 Вт на частоте 10 ГГц