Транзистор 2Т647А-2 Au
Транзисторы 2Т647А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В.
Транзисторы 2Т647А-2, 2Т647Б-2, бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
- 2Т647А-2 - две красные точки,
- КТ647А-2 - одна красная точка.
Транзисторы 2Т647А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.165ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: NE56755, 2N6701.
Основные технические характеристики транзистора 2Т647А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 560 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 90 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,2 Вт на частоте 10 ГГц