Транзистор 2Т888Б Ni

Транзистор 2Т888Б Ni

Артикул: 300829

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т888А, 2Т888Б предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.782ТУ.

16,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300829

Просмотренные товары

Транзистор КТ639В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639В

259495
1,01 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
View
Транзистор H7N95 to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7N95 to220F

293236
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 950 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т368Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т368Б

312236
5,48 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В15Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В15Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.03Статический коэффициент передачи тока h21э мин50…300Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц900Максимальная рассеиваемая мощность...
View
Транзистор КТ8106А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8106А

301506
12,40 BYN
Транзисторы КТ8106А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 10,0 г.Тип корпуса: КТ-43-1 (ТО-218).Климатическое исполнение:...
View
Транзистор КТ503А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503А

301422
0,60 BYN
Транзисторы КТ503А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным графическим или цветовым кодом на корпусе...
View
Транзистор 2Т3129Д9 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3129Д9 Au

300914
2,20 BYN
Транзисторы 2Т3129Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,1 г.Технические условия:...
View
Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ3107Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Г

259819
0,66 BYN
Транзисторы КТ3107Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2Т640А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т640А-2 Au

301053
21,60 BYN
Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2...
View
Транзистор 2Т316Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316Г Ni

300966
3,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор 2Т117В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117В Au

300753
5,40 BYN
Транзисторы 2Т117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.Масса транзистора не более 0,45 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия:...
View
Транзистор КТ501Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ501Г Ni

301414
1,60 BYN
Транзисторы КТ501Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ945А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ945А

301251
18,00 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-9...
View
Транзистор КТ209В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209В

301168
0,40 BYN
Транзисторы КТ209В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта...
View
Транзистор 2Т360В-1Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т360В-1Н

300982
1,20 BYN
Бескорпусные высокочастотные биполярные р-п-р транзисторы малой мощности Типовое значение граничной частоты передачи тока fТ = 550 МГц Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 10 мВт Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=20В(2T360A-1); 15В(2Т360Б-1, 2Т360В-1)
View
Транзистор П217Г
Транзисторы отечественные

Транзистор П217Г

301361
0,60 BYN
Транзисторы П217Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.