Транзистор 2Т214А-1

Транзистор 2Т214А-1

Артикул: 300774

Транзисторы 2Т214А-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в бескорпусном исполнении.
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: АЕЯР.432140.524ТУ.

4,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300774

В этой категории 16 товаров:

Транзистор ГТ322А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ322А Ni

301151
3,52 BYN
Транзисторы ГТ322А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в...
Транзистор 2Т836Б Nib
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т836Б Nib

300781
4,20 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде...
Транзистор КТ858А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ858А

259800
1,52 BYN
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 3 г.
Транзистор КТ660Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ660Б

301482
0,24 BYN
Транзисторы КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах,в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.Корпус пластмассовой с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.На транзистор наносится условная цветная...
Транзистор КТ840В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ840В

301129
3,20 BYN
Транзистор КТ840В кремниевый мезапланарный переключательный, структура NPN. Предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.
Транзистор КТ611БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ611БМ

301453
0,40 BYN
КТ611БМТранзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах.Корпус транзисторов КТ611АМ, КТ611БМ пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.Тип корпуса: KT-27-2.
Транзистор КТ118В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ118В Au

301162
3,80 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные структуры р-n-р переключательные.Предназначены для применения в модуляторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия: ЖК3.365.238 ТУ.
Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
Транзистор КТ837У
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837У

301127
1,00 BYN
Транзисторы КТ837У кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор ГТ328
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ328

259858
6,40 BYN
 германиевые, маломощные, высокочастотные усилительные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц, структуры - p-n-p.Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн(УКВ), с автоматической регулировкой усиления. Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами, масса около 2 гр
Транзистор КТС393Б-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС393Б-1

301322
1,80 BYN
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторовна одном кристалле с раздельными выводами.Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителяхи других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух...
Тразистор КП307Б Ni
Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Б Ni

301535
1,40 BYN
Транзисторы КП307Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
Транзистор КТ117В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ117В Au

312799
13,00 BYN
Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 0.5…0.7 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.2...
Транзистор 2Т3124Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124Б-2 Au

300909
3,00 BYN
2Т3124Б-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.