Транзистор 3П324Б-2 Au

Транзистор 3П324Б-2 Au

Артикул: 301675

Транзисторы 3П324Б-2 полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шоттки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.

4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301675

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор П214
Транзисторы отечественные

Транзистор П214

301355
1,20 BYN
Транзисторы П214 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...
Транзистор 2Т321Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Г Ni

300971
0,40 BYN
Транзисторы 2Т321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзистор 2Т312В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т312В Au

300918
6,00 BYN
Транзисторы 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип корпуса: КТЮ-3-1.Технические условия: ЖК3.365.143 ТУ.
Транзистор КТ644Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ644Б

301474
1,00 BYN
Транзисторы КТ644Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Транзистор 2Т867А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т867А

300808
23,80 BYN
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9...
Транзистор КТ958А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ958А Au

301258
32,00 BYN
Транзисторы КТ958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее...
Транзистор КТ828А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ828А

259524
7,00 BYN
Транзисторы КТ828А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.Транзисторы КТ828А, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
Транзистор 2П103Д Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П103Д Au

301627
3,80 BYN
Транзисторы 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре специального назначения.Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с...
Транзистор КТ603И Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ603И Ni

301438
2,00 BYN
Транзисторы КТ603И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более...
Транзистор КТ209Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209Ж

301169
0,40 BYN
Транзисторы КТ209Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта...
Транзистор 2Т986А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т986А Au

300939
91,80 BYN
Транзисторы 2Т986А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные с внутренними согласующими цепями по входу и выходу.Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в импульсном режиме в диапазоне частот 1,4... 1,6 ГГц.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами.Тип прибора указывается на...
Транзистор 2Т368Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т368Б

312236
5,48 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В15Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В15Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.03Статический коэффициент передачи тока h21э мин50…300Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц900Максимальная рассеиваемая мощность...
Транзистор 3П320А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П320А-2 Au

301671
3,20 BYN
3П320А-2Транзисторы 3П320А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.