Транзистор 2Т925В Au

Транзистор 2Т925В Au

Артикул: 300863

Транзисторы 2Т925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.

17,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 300863

Просмотренные товары

Транзистор BSP170PH

Полевые транзисторы

Транзистор BSP170PH

Транзистор 2Т118А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т118А Au

Транзисторы 2Т118А кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные структуры р-n-р переключательные.Предназначены для применения в модуляторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1.Технические условия: ЖК3.365.209 ТУ.

Стеклотекстолит FR-4 5 х 500 х 600 мм

Стеклотекстолит листы и прутки FR-4

Стеклотекстолит FR-4 5 х 500 х 600 мм

FR-4 – это материал, получаемый из электрической стеклоткани, пропитанной эпоксидной смолой под действием тепла и давления. Данный вид полимера отличается высокой механической прочностью и диэлектрическими свойствами, а также превосходной устойчивостью ко всем видам растворителей и кислотных химических веществ. Соответствующий для компонентов высокой...

Транзистор КТ315М

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315М

Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.1 Корпус кт-13...

КН102Г

Динисторы отечественные

КН102Г

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ914А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ914А

Транзистор PNP, высокочастотный

Транзистор 2Т834В

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т834В

кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 22 г.Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).Технические условия: аА0.339.209 ТУ.Основные технические характеристики...

Транзистор КП926А

Транзисторы отечественные

Транзистор КП926А

кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа.Предназначены для применения в переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9.Технические условия:...

Транзистор КТ841Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ841Б

Транзисторы КТ841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...

Транзистор КП103Е1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП103Е1

Транзисторы КП103Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими...

Транзистор КТ504Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ504Б Ni

Транзисторы КТ504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тразистор КП312Б Au

Транзисторы отечественные

Тразистор КП312Б Au

Транзисторы КП312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.Транзисторы КП312А, КП312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Маркируются цветными точками:...

Транзистор КТ8109А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8109А

Транзистор КТ8109А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n составной усилительный.Предназначен для применения в системах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями, в регуляторах напряжения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2...

Транзистор 2Т397А-2

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т397А-2

Транзисторы 2Т397А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в сопроводительной таре.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора...

Транзистор КТ819А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819А

Транзисторы КТ819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор 2Т930Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т930Б Au

Транзисторы 2Т930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.Тип прибора...

Транзистор 2Т9188А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9188А Au

2T9188АТранзистор 2T9188А кремниевый генераторный низковольтный n-p-n СВЧ.Предназначен для работы в усилителях мощности мобильной и портативной аппаратуры в диапазоне частот 100-470 МГц.Тип прибора указывается на корпусе.Тип корпуса: КТ-83.Технические условия: АЕЯР.432140.154 ТУ.Функциональный аналог: MS1426 (APT), MRF754 (Motorola), SD1433 (STM), BLV81...

Транзистор КП103К Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КП103К Au

Транзисторы КП103К кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими...

Транзистор КТ117Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ117Б

Структура транзистора: n-база• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и...

Транзистор КТ313Г1

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313Г1

Транзисторы КТ313Г1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.