КТ816В

КТ816В

Артикул: 299911

Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

1,32 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 299911

Просмотренные товары

Микросхема CXP5058H-068

Микросхемы импортные

Микросхема CXP5058H-068

Мультимедиа преобразовател

View

Транзистор 2SA733

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA733

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т842А

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т842А

Транзисторы 2Т842А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с...

View

Транзистор МП42

Германиевые транзисторы

Транзистор МП42

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1 Максимальная...

View

Транзистор 2Т653Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т653Б Ni

Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине...

View

Транзистор КПС104А золото

Транзисторы отечественные

Транзистор КПС104А золото

Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Выпускается в...

View

Транзистор 2ТС613А

Транзисторы отечественные

Транзистор 2ТС613А

СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В60Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.4Статический коэффициент передачи тока h21э мин25Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.8

View

Транзистор КТ601А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ601А

Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в радиовещательных и телевизионных приемниках.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса КТ601А не более 2 г.

View

Транзистор 3П321А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 3П321А-2 Au

Транзистор полевой 3П321А-2 арсенидгаллиевый планарный ионнолегированный с каналом n-типа и барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.Бескорпусный на керамическом...

View

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...

View

Транзистор П605А

Транзисторы отечественные

Транзистор П605А

Транзисторы П605А германиевые структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора с жесткими выводами не более 11 г, с...

View

Транзистор КТ837Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837Г

Транзисторы КТ837Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

View

Транзистор 2Т214А9

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т214А9

Транзисторы 2Т214А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Масса транзистора не более 0,1 г.Тип корпуса: КТ-46.Технические условия: аА0.339.517ТУ

View

Транзистор 2Т974А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т974А Au

Транзисторы 2Т974А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: аА0.339.287 ТУ.

View

Транзистор 2Т603В Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т603В Ni

Транзисторы 2Т603В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,75 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: И93.365.003 ТУ.

View

Транзистор КТ605АМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ605АМ

Транзисторы КТ605АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

View

Транзистор 2Т117Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117Б Ni

Структураn-базаМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В30Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.05Статический коэффициент передачи тока h21э мин0.65…0.9Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц0.2Максимальная рассеиваемая мощность...

View

Транзистор 2Т117В Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117В Au

Транзисторы 2Т117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.Масса транзистора не более 0,45 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия:...

View

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.