Транзистор 2Т321Г Ni

Транзистор 2Т321Г Ni

Артикул: 300971

Транзисторы 2Т321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.

0,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300971

Просмотренные товары

Транзистор КТ8131Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131Б

301513
1,00 BYN
Транзисторы КТ8131Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т316А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316А Ni

300960
2,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
Транзистор Д814В
Транзисторы отечественные

Транзистор Д814В

301159
0,32 BYN
Стабилитроны Д814В кремниевые, сплавные, средней мощности.Предназначены для стабилизации напряжения 9,0-10,5 В в диапазоне токов стабилизации 3...32 мА.Используются для работы в различных радиоэлектронных устройствах широкого применения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими разнонаправленными выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом, схема...
Транзистор КТ807Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ807Б

301503
4,00 BYN
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлопластмассовом КТ807А, КТ807Б корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзисторов не более 2,5...
Транзистор КТ505Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ505Б

259491
20,00 BYN
Транзисторы КТ505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.Транзисторы КТ505А, КТ505Б, КТ505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора в металлическом...
Транзистор 2Т3124Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124Б-2 Au

300909
3,00 BYN
2Т3124Б-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.
Транзистор КТ704А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ704А

282660
7,20 BYN
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 25 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 15
Транзистор 1Т806А
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т806А

300731
4,80 BYN
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 28 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические...
Транзистор 2Т830А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830А Ni

301074
4,80 BYN
Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
Транзистор КП707Д1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП707Д1

301559
2,00 BYN
Транзисторы КП707Д1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.Транзисторы...
Транзистор 2Т506А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506А Au

301011
21,60 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
Транзистор КТ835А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ835А

259790
1,00 BYN
Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
Транзистор 3П604В-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П604В-2 Au

301688
27,00 BYN
 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзистор КТ502Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Д

301421
0,52 BYN
Транзисторы КТ502Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Транзистор 3П326Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П326Б-2 Au

301678
2,60 BYN
Транзисторы 3П326Б-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на...
Транзистор 3П321А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П321А-2 Au

301673
3,20 BYN
Транзистор полевой 3П321А-2 арсенидгаллиевый планарный ионнолегированный с каналом n-типа и барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.Бескорпусный на керамическом...
Транзистор КТ8102А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8102А

259827
8,00 BYN
Транзисторы КТ8102А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 2,5 г.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.