Транзистор КП303Е

Транзистор КП303Е

Артикул: 259842

Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.

3,08 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259842
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRLR3110Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR3110Z

289738
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SC1730Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1730Y

275295
0,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 15 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 1100 МГц Корпус: TO-92
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Тиристор КУ101Е
Каталог

Тиристор КУ101Е

302665
6,80 BYN
Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые.Предназначены для применения в качестве переключающих элементов.Используются для работы в аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе тиристора.Тип корпуса: КТЮ-3-4, масса не более 2,25...
View
Транзистор 2N5401 to-92_bulk
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

264715
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор КТ368АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368АМ

301401
0,60 BYN
Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2N5551
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

259995
0,35 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор КТ326БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326БМ

301349
0,72 BYN
Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КП307Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

301537
1,20 BYN
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
View
Транзистор КП303Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП303Ж Ni

301616
1,00 BYN
Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ8297А (марк. KSB772R)
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8297А (марк. KSB772R)

301109
0,40 BYN
КТ8297А транзистор радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи для усиления,применяется для генерации и преобразования электрических сигналов.
View
Транзистор 2Т962Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т962Б Au

300917
27,00 BYN
Транзисторы 2Т962Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Внутри корпуса имеется...
View
Транзистор 2Т988А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т988А Au

300942
137,36 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном режиме в полосе частот 0,7...1 ГГц для 2Т988А, 0,9...1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В.Выпускаются а металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора...
View
Транзистор КТ361Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Е

259447
0,88 BYN
Транзисторы КТ361Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор КТ4-23 4/15пФ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ4-23 4/15пФ

301411
0,40 BYN
КТ4-23 4/15 пф 200 ВКонденсаторы КТ4-23 керамические подстроечные.Выпускаются в конструктивном варианте для печатных схем с креплением пайкой за выводы.Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов.- Диапазон номинальных емкостей: 0,4...30 пф- Номинальное напряжение: 200 В- Допускаемьде отклонения емкости: 10%- Диапазон...
View
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
24,20 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор 2Т208Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Ж Ni

300768
1,60 BYN
Транзисторы 2Т208Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.
View
Транзистор КТ608А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ608А Ni

301442
2,40 BYN
Транзисторы КТ608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса...
View
Транзистор КТ837И
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

301122
1,00 BYN
Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор КТ837Т
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837Т

301126
1,20 BYN
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.9 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30 Корпус кт-28-2(то-220)
View
Транзистор 2Т881В Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т881В Ni

300819
8,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в...
View
Транзистор КП948А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП948А

301607
2,00 BYN
Транзистор полевой КП948А с вертикальным нормально закрытым каналом n-типа, работающий при прямом смещении на затворе, Uзи max=5В.Схема включения аналогична включению биполярных n-p-n транзисторов.Предназначен для применения в быстродействующих силовых схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Применение его вместо КТ858, КТ859, КТ872 и т.п. позволяет в 2...
View
Транзистор КТ9181А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9181А

301232
0,60 BYN
Транзисторы КТ9181А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-27-2...
View
Транзистор 2П601А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П601А Au

301644
137,36 BYN
Транзисторы 2П601А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, универсальные. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей, в генераторах и преобразователях высокой частоты. Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
View
Транзистор КТ321В Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ321В Ni

301310
0,40 BYN
 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КП307Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

301537
1,20 BYN
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
View
Транзистор 2N5401 to-92_bulk
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

264715
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор КТ326БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326БМ

301349
0,72 BYN
Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2N5551
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

259995
0,35 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Тиристор КУ101Е
Каталог

Тиристор КУ101Е

302665
6,80 BYN
Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые.Предназначены для применения в качестве переключающих элементов.Используются для работы в аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе тиристора.Тип корпуса: КТЮ-3-4, масса не более 2,25...
View
Транзистор КП303Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП303Ж Ni

301616
1,00 BYN
Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...
View
Транзистор КТ368АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368АМ

301401
0,60 BYN
Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.