Транзистор КП303Е

Транзистор КП303Е

Артикул: 259842

Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.

2,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 259842

Состояние Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...

Транзистор КТ326БМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326БМ

Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КТ368АМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368АМ

Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КП303Ж Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КП303Ж Ni

Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...

Тиристор КУ101Е

Каталог

Тиристор КУ101Е

Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые.Предназначены для применения в качестве переключающих элементов.Используются для работы в аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе тиристора.Тип корпуса: КТЮ-3-4, масса не более 2,25...

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

Транзистор 2N5551

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор П606

Транзисторы отечественные

Транзистор П606

германиевые структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора с жесткими выводами не более 11 г, с гибкими выводами не...

Транзистор КТ3165А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3165А

Транзистор КТ3165А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами.

Транзистор КТ363А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ363А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора в не более 0,5 г,

Транзистор КП707Б1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП707Б1

Транзисторы КП707Б1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.Транзисторы...

Транзистор КТ3130Г9

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Г9

кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.

Транзистор КП103Е1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП103Е1

Транзисторы КП103Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими...

Транзистор 2Т9103А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9103А-2 Au

Транзисторы 2Т9103А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях, генераторах и умножителях в диапазоне частот 0,9...5 ГГц.Бескорпусные с полосковыми выводами на кристаллодержателе.Тип прибора указывается на крышке.Масса транзистора не более 3 г.Тип корпуса:...

Транзистор 2Т364А-2

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т364А-2

Транзисторы 2Т364А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.Тип прибора указывается на сопроводительной таре.Масса...

Транзистор ГТ328

Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ328

германиевые, маломощные, высокочастотные усилительные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц, структуры - p-n-p.Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн(УКВ), с автоматической регулировкой усиления. Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами, масса около 2 гр

Транзистор 2Т663А Au ОСМ

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т663А Au ОСМ

2Т663АКремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор.Предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: аА0.339.515ТУ.

Транзистор 2Т689АС Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т689АС Au

Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.Тип корпуса: 401.14-6.Технические условия: аА0.339.758ТУ.

Транзистор 2Т925Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т925Б Au

Транзисторы 2Т925Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...

Транзистор 2Т208Г Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Г Ni

Транзисторы 2Т208Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.

Транзистор КТ361Г2

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Г2

Транзисторы КТ361Г2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и генераторах аппаратуры широкого применения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются условным цветным и цифро-буквенным кодом на корпусе прибора.На боковой поверхность корпуса...

Транзистор КП940Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КП940Б

Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи...

Транзистор КТ827А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ827А

Транзисторы КТ827А кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.Транзисторы КТ827А, КТ827Б, КТ827В...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КП303Ж Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КП303Ж Ni

Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...

Транзистор КТ326БМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326БМ

Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...

Тиристор КУ101Е

Каталог

Тиристор КУ101Е

Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые.Предназначены для применения в качестве переключающих элементов.Используются для работы в аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе тиристора.Тип корпуса: КТЮ-3-4, масса не более 2,25...

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

Транзистор 2N5551

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

Транзистор КТ368АМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368АМ

Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.