Транзистор КТ6117А

Транзистор КТ6117А

Артикул: 259825

Транзистор кремниевый биполярный n-p-n.
КТ6117А предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания, для электронных систем телефонной связи.
Корпусное исполнение: корпус КТ-26 (ТО-92).

1,67 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259825
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ8131Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131Б

301513
1,00 BYN
Транзисторы КТ8131Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор КТ313Г1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313Г1

301275
0,40 BYN
Транзисторы КТ313Г1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ835А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ835А

259790
1,10 BYN
Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КТ505Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ505Б

259491
22,00 BYN
Транзисторы КТ505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.Транзисторы КТ505А, КТ505Б, КТ505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора в металлическом...
View
Транзистор 2Т709А2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т709А2

301038
19,40 BYN
Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-8...
View
Транзистор 2Т603И Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т603И Ni

301044
2,20 BYN
Транзисторы 2Т603И/ИУ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные.Предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности и других схемах аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Тип корпуса:...
View
Транзистор 2Т504А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т504А Au

301004
13,00 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы 2Т504А, 2Т504Б, 2Т504В предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор 2ТС393Б-1Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2ТС393Б-1Н

301020
3,20 BYN
Транзисторные сборки 2ТС393Б-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.Предназначены для применения...
View
Транзистор КТ640Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ640Б-2 Au

301471
5,40 BYN
Транзисторы КТ640Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы бескорпусные на...
View
Транзистор КП802А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП802А

301596
13,00 BYN
Транзисторы КП802А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа переключательные.Полевые транзисторы 2П802А, КП802А, КП802Б предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения, быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными...
View
Транзистор КТ815А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815А

282662
1,32 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт Статический...
View
Транзистор КТ326БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326БМ

301349
0,72 BYN
Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2Т652А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т652А Ni

301023
2,60 BYN
ранзистор 2Т652А - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий.Корпус металлокерамика.Предназначен для использования в аппаратуре специального назначения.Диапазон рабочих температур окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
View
Транзистор 2Т970А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т970А Au

300927
109,80 BYN
Транзисторы 2Т970А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется двухзвенная LС-цепь.Тип прибора...
View
Транзистор 2П911Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П911Б Au

301659
32,00 BYN
Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.