Транзистор КТ815А

Транзистор КТ815А

Артикул: 282662
  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275
  • Обратный ток коллектора <=50 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ
1,32 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
282662

Просмотренные товары

Транзистор IRFPF50
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPF50

276468
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ805АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ805АМ

301498
3,60 BYN
Транзисторы КТ805АМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Транзистор MMBT5551
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT5551

275739
0,32 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т9132АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9132АС Au

300847
137,36 BYN
2Т9132АСТранзисторная сборка 2Т9132АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350...700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 31 В.Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Сборка содержит...
Транзистор КТ853Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ853Б

259796
1,00 BYN
Транзисторы КТ853Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г
Транзистор КТ985АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ985АС Au

301315
91,60 BYN
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для...
Транзистор 2Т836Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т836Б Au

300779
9,20 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде...
Транзистор 2Т363Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т363Б Au

300984
4,80 BYN
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора в не более 0,5 г,Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЩТ0.336.008 ТУ.
Транзистор 2Т875Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т875Б

300810
27,00 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы  предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9...
Транзистор КТ9156Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9156Б Au

301228
320,40 BYN
КТ9156Б транзистор радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи для усиления,применяется для генерации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор П607
Транзисторы отечественные

Транзистор П607

301378
0,80 BYN
Транзисторы П607 германиевые структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 100 МГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора с жесткими выводами не более 12 гТехнические условия: аА0.336.536 ТУ.
Транзистор КП750А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП750А

301586
2,80 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала.КП750А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и  преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и...
Транзистор КТ808А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ808А

310540
20,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 120(250) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 120(250) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 5(50) Вт Статический...
Транзистор КП749В
Транзисторы отечественные

Транзистор КП749В

301585
1,60 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала.КП749В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и  преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и...
Транзистор 2ТС398А-1 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2ТС398А-1 Au

301021
0,00 BYN
Транзисторные сборки 2ТС398А-1, состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых...
Транзистор КТ973Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ973Б

259814
1,80 BYN
Транзисторы КТ973Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор 2Т919А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т919А Au

300854
15,60 BYN
Транзисторы 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.Выпускаются:  - 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами,  - 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор MMBT5551
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT5551

275739
0,32 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор КТ805АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ805АМ

301498
3,60 BYN
Транзисторы КТ805АМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.