Транзистор FGA25N120ANTD (25N120)

Транзистор FGA25N120ANTD (25N120)

Артикул: 276915

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25.0A

19,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276915
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1544
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1544

304739
42,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AOTF10N60
Полевые транзисторы

Транзистор AOTF10N60

311840
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 2SK2677
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2677

304813
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 140 ns Выходная емкость (Cd): 210 pf...
View
Транзистор 2SC4589
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4589

304052
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4458
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4458

304031
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1302
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1302

304275
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус...
View
Транзистор 2SA1232
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1232

302899
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200 Корпус...
View
Транзистор 2SC5449
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5449

292895
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SK4207
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4207

304883
27,00 BYN
Маркировка: K4207 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SD1175
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1175

304256
40,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80 Корпус транзистора: TO3
View
Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
View
Транзистор STM4439A so8
Полевые транзисторы

Транзистор STM4439A so8

293417
18,40 BYN
Наименование прибора: STM4439A Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Общий заряд затвора (Qg): 705 nC Выходная емкость (Cd): 980 pf...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.