Транзистор IRF9540N to220

Транзистор IRF9540N to220

Артикул: 293272

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64.7 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

5,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293272

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STP24NF10
Полевые транзисторы

Транзистор STP24NF10

312049
5,60 BYN
Маркировка: P24NF10 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор K2369
Полевые транзисторы

Транзистор K2369

276587
8,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 nC Время нарастания (tr): 60...
View
Транзистор K2746
Полевые транзисторы

Транзистор K2746

276602
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm Тип корпуса: TO3P
View
Транзистор STP140NF75
Полевые транзисторы

Транзистор STP140NF75

282965
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4935A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4935A

265874
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

282624
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор FMMT2222A
Биполярные транзисторы

Транзистор FMMT2222A

303855
0,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.33 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц Корпус: SOT-23
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.