Транзистор STN1HNK60

Транзистор STN1HNK60

Артикул: 302363

Труба MOS

3,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
600 V
Номинальный Ток
400 mA
Количество Каналов
1
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
8 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
3.3 W
Пороговое Напряжение
3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
500 mA
Время Нарастания
5 ns
Входная емкость (Ciss)
156pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
3.3 W
Время падения
25 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
3.3W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-261-4
размеры
Длина
6.5 mm
Ширина
3.5 mm
Высота
1.8 mm
Корпус/Пакет
TO-261-4
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302363

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STP7NK40Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP7NK40Z

312640
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3728
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3728

292990
19,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 26 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 36 pf...
Транзистор FDS9412 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9412 so8

293117
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF5210
Полевые транзисторы

Транзистор IRF5210

259873
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )
Полевые транзисторы

Транзистор 180N04S3 ( 3QN0402 )

275930
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP460LC
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP460LC

276463
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AON7408
Полевые транзисторы

Транзистор AON7408

276178
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AO4425
Полевые транзисторы

Транзистор AO4425

276143
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 38 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4227

259927
26,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Транзистор 42N20D
Полевые транзисторы

Транзистор 42N20D

276013
11,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42.6 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6900AS so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6900AS so8

293115
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 11 nC Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.