Транзистор MJF15030G

Транзистор MJF15030G

Артикул: 302819

Двухполюсный плоскостной транзистор

26,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Частота
30 MHz
Номинальное Напряжение (DC)
150 V
Номинальный Ток
8.00 A
Количество Стежков
3
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
2 W
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания
30 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
150 V
Непрерывный ток коллектора
8A
hFE Min
20 @4A, 2V
Максимальная входная мощность
2 W
Усиление постоянного тока (hFE)
30
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
2000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.63 mm
Ширина
4.9 mm
Высота
9.24 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
302819

Просмотренные товары

Транзистор STM8309
Полевые транзисторы

Транзистор STM8309

276720
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 115 nC Выходная емкость (Cd): 190 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор 2SK1082
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1082

304697
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 90 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MJE15031G to220
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE15031G to220

293318
8,40 BYN
Наименование производителя: MJE15031G Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор 2SC2061
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2061

264741
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...
Транзистор 2SD772
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD772

312541
8,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 14 Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц Корпус: TO-220
Транзистор 2SC114EL
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC114EL

303466
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80...
Транзистор 2SD2531
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2531

304551
14,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5610
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5610

275533
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1225M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1225M

304262
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Транзистор 2SA1576A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1576A

303014
1,60 BYN
Маркировка: FQ_FR_FS Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная...
Транзистор 2SC114EF
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC114EF

303465
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80...
Транзистор 2SD1565
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1565

304327
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000 Корпус транзистора: TO220
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.