Транзисторы

Полевые транзисторы

Транзистор K3469

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор K3528

276630

24,00 BYN

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВремя нарастания (tr): 37 nsВыходная емкость (Cd): 290...

Полевые транзисторы

Транзистор K3561

276631

5,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 26 ns...

Полевые транзисторы

Транзистор K3565

276632

5,36 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор K3683-01MR

276633

11,24 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Время нарастания (tr): 13...

Полевые транзисторы

Транзистор K3767

276635

7,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор K3929-01MR

276636

5,56 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор K4096

276637

4,64 BYN

Power MOSFET, N-Channel, 500V, 8A, TO-220FP

Полевые транзисторы

Транзистор K4097

276638

6,60 BYN

Применение Коммутационных Устройств Общего Назначения

Полевые транзисторы

Транзистор K40H1203 (IKW40N120H3)

276639

33,00 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 483W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A

Полевые транзисторы

Транзистор K40H603 (IKW40N60H3)

276640

16,00 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBT 600V,40A_с диодом_with diodeНапряжение, V: 600IGBT с диодом: С диодомТок, A: 40

Полевые транзисторы

Транзистор K4101

276641

6,20 BYN

N-Channel Silicon MOSFET Vds=650V, Id=6,4A, Pd=35W, Rds(on) =0,85 Ohm General-Purpose Switching

Полевые транзисторы

Транзистор K4110

276642

6,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 20 ns...

Полевые транзисторы

Транзистор K427

276643

1,56 BYN

Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 15 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор K494

276644

3,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Время нарастания (tr): 160...

Полевые транзисторы

Транзистор K50H603 (IKW50N60H3)

276645

21,96 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBT 50A,600V_с диодом_with diodeНапряжение, V: 600IGBT с диодом: С диодомТок, A: 50

Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646

31,64 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...

Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647

1,56 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор K725

276648

9,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 330 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор K904

276649

4,44 BYN

Корпус TO-220Вес 2 гN-Channel 3A 800V 80W

Полевые транзисторы

Транзистор K955

276650

7,60 BYN

Корпус TO-3PВес 8 гN-Channel 5A 800V 125W

Биполярные транзисторы

Транзистор KD615

303036

21,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KD616

303037

21,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KD617

264794

8,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Показано 5161-5184 из 6884