Транзистор K50H603 (IKW50N60H3)

Транзистор K50H603 (IKW50N60H3)

Артикул: 276645

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 50A,600V_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 50

21,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276645
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 298ФН17
Микросхемы отечественные

Микросхема 298ФН17

299971
8,00 BYN
Предназначены для использования в фильтровых системах радиоаппаратуры, работающей в диапазоне 100Гц-10кГц.Микросхемы 298ФН17 представляют собой активные RC-фильтры нижних частот.Выпускаются в 15-выводном прямоугольном металлостеклянном корпусе с двухрядным вертикальным расположением выводов для монтажа в отверстия печатных плат.Маркировка микросхемы и...
View
Микросхема 134ИР1 Au ОС
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ИР1 Au ОС

299376
19,40 BYN
134ИР1 ОС - это цифровая микросхема технологии ТТЛ 134-ей серии, являются транзисторно матлогикой с функционалом универсальный регистр сдвига на 4 разряда и используются в РЭА в большой области эксплуатации. Микросхемы изготовлены в керамометаллическом корпусе и выпускаются в корпусе 401.14-1. Модель изделия наносится на металлической части корпуса....
View
Микросхема 249ЛП1А Ni ОСМ
Микросхемы отечественные

Микросхема 249ЛП1А Ni ОСМ

299891
5,40 BYN
ЛОГИЧЕСКИЕ ИНВЕРТОРЫ Особенности - выходное напряжение:ТТЛ уровни - напряжение изоляции 100В; - быстродействие 300нс; Применение - быстродействующий изолированный интерфейс; - шинные контроллеры; - высоконадежная аппаратура;
View
Микросхема 564ТВ1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТВ1 Au

300462
10,80 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ТВ1 представляют собой два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхем и схема...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 80N60UFD
Полевые транзисторы

Транзистор 80N60UFD

276097
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 TO3P
View
Транзистор AP9916H
Полевые транзисторы

Транзистор AP9916H

276227
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 98 ns Выходная емкость (Cd): 258 pf...
View
Транзистор 2SK735
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK735

311827
14,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf
View
Транзистор IRFB4127 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4127 to220

293275
20,40 BYN
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 76 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 ом при 44a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375 Крутизна характеристики, S 79 Корпус to220ab
View
Транзистор IRF642
Полевые транзисторы

Транзистор IRF642

276387
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
View
Транзистор AO4422
Полевые транзисторы

Транзистор AO4422

293010
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор RJK2017DPE d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор RJK2017DPE d2pak (to263)

293357
20,80 BYN
Наименование прибора: RJK2017DPE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40...
View
Транзистор IRFPS43N50A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS43N50A

293281
49,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 47 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.