Транзистор 2N2369A

Транзистор 2N2369A

Артикул: 302715

Двухполюсный плоскостной транзистор

2,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
360 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
15.0 V
hFE Min
40
Усиление постоянного тока (hFE)
40
Рабочая температура (Макс)
200 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-18
размеры
Корпус/Пакет
TO-18
физическое
Рабочая Температура
-65℃ ~ 200℃
302715

Просмотренные товары

Транзистор 2SK3767
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3767

311826
9,20 BYN
Маркировка: K3767 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 2SK3564
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3564

304863
12,00 BYN
Маркировка: K3564 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA1370E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1370E

264647
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4304
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4304

304017
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Транзистор 2SC2603
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2603

275336
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100...
Транзистор 2SD1762
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1762

304383
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Транзистор 2SD1783
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1783

304386
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000 Корпус транзистора: TO220
Транзистор BF982
Биполярные транзисторы

Транзистор BF982

275191
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.04 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 4 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор BUT11AX
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT11AX

275273
1,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор N5962
Биполярные транзисторы

Транзистор N5962

275772
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 700 до 1400 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO92
Транзистор 2SA1270
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1270

264644
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf Статический...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.