Транзистор PMBT2907A.215

Транзистор PMBT2907A.215

Артикул: 302716

Двухполюсный плоскостной транзистор

0,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Частота
200 MHz
Номинальная Мощность
0.25 W
Количество Стежков
3
Полярность
PNP
Рассеяние Мощности
250 mW
Входная Ёмкость
30 pF
Время Нарастания
30 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
60 V
hFE Min
100 @150mA, 10V
Максимальная входная мощность
250 mW
Усиление постоянного тока (hFE)
100
Время падения
65 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
250 mW
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
SOT-23-3
размеры
Длина
3 mm
Ширина
1.4 mm
Высота
1 mm
Корпус/Пакет
SOT-23-3
физическое
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302716

Просмотренные товары

Микросхема 1533КП12 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533КП12 Au

299821
13,00 BYN
— цифровая микросхема 1533-ей серии, являются триодной логикой с функционалом двухразрядный четырехканальный коммутатор с 3-мя устойчивыми состояниями по выходу и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при...
Микросхема 140УД5Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 140УД5Б Au

299517
13,20 BYN
представляют собой операционные усилители средней точности с составными транзисторами (эмиттерными повторителями) на входе, без частотной коррекции.Кроме общего выхода имеют дифференциальные выходы.Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном...
Транзистор 2SC5129
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5129

292886
9,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Граничная частота коэффициента передачи...
Микросхема 564ИК2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИК2 Au

300239
54,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхема 564ИК2 представляет собой схему управления 5-разрядным светодиодным семисегментным индикатором в мультиплексорном режиме и позволяет синтезировать 10 символов.В состав ИС входят дешифратор двоичного кода, генератор, делитель частоты на 5 с преобразователем и дешифратором.Предназначена для применения в...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC1984
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1984

303525
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SD2581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2581

304559
13,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD2101
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2101

304521
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1370E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1370E

264647
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1883
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1883

304487
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор R1009
Биполярные транзисторы

Транзистор R1009

275787
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток...
Транзистор BD235
Биполярные транзисторы

Транзистор BD235

303741
0,56 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц Корпус: TO-126
Транзистор 2SB1412
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1412

260041
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3788E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3788E

303791
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N2218 Au
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2218 Au

303485
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120 Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-39
Транзистор 2SB731P
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB731P

303204
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SD468
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD468

304602
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5030F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5030F

275450
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.