Транзистор 2N1711

Транзистор 2N1711

Артикул: 302711

Двухполюсный плоскостной транзистор 

18,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Частота
70 MHz
Номинальное Напряжение (DC)
75.0 V
Номинальный Ток
500 mA
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
0.8 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-База)
75.0 V
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
50 V
hFE Min
35 @100mA, 10V
hFE Max
100
Максимальная входная мощность
800 mW
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
800 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-5-3
размеры
Длина
9.4 mm
Ширина
9.4 mm
Высота
1.5 mm
Корпус/Пакет
TO-5-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
175℃ (TJ)
302711

Просмотренные товары

Датчик напряжения и тока на чипе INA219
Датчики

Датчик напряжения и тока на чипе INA219

307261
14,40 BYN
INA219 – это датчик напряжения, тока и мощности производства Texas Instruments. Данная микросхема позволяет с высокой точностью измерять напряжение в диапазоне 0..26 вольт и силу тока. Подключение к микроконтроллеру осуществляется по протоколу I2C. Для работы микросхемы требуется небольшая обвязка, главный компонент которой – это шунтирующий резистор....
Микросхема UC2842B so8
Микросхемы импортные

Микросхема UC2842B so8

292721
7,20 BYN
Представляет собой ШИМ - Широтно-импульсная модуляция (ШИМ, англ. pulse-width modulation (PWM)) преобразователь, в основном применяется для работы в режиме DC-DC(преобразовывает постоянное напряжение одной величины в постоянное напряжение другой) преобразователя.
Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,25 200 г ( 570 м )

13195
143,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA2140
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA2140

303048
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SC5521
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5521

275522
6,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1406
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1406

304302
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BU706 orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU706 orig

275250
5,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5 TO218
Транзистор 2SD1609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1609

304332
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC2058
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2058

303560
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150...
Транзистор 2SA872
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA872

264696
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC238
Биполярные транзисторы

Транзистор BC238

260098
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1615
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1615

303015
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
ТРАНЗИСТОР BF820
Биполярные транзисторы

ТРАНЗИСТОР BF820

303803
0,24 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус: SOT-23
Транзистор D2553
Биполярные транзисторы

Транзистор D2553

275664
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.