Транзистор MJ15003

Транзистор MJ15003

Артикул: 302989

Двухполюсный плоскостной транзистор

43,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Частота
3 MHz
Номинальное Напряжение (DC)
140 V
Номинальный Ток
20.0 A
Количество Стежков
2
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
250 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
140 V
Тепловое Сопротивление
0.7℃/W (RθJC)
Непрерывный ток коллектора
20A
hFE Min
25
hFE Max
150
Максимальная входная мощность
250 W
Усиление постоянного тока (hFE)
150
Рабочая температура (Макс)
200 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
250000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
2
Корпус/Пакет
TO-204-2
размеры
Длина
39.37 mm
Ширина
26.67 mm
Высота
8.51 mm
Корпус/Пакет
TO-204-2
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
-65℃ ~ 200℃
302989

Просмотренные товары

Транзистор SPW35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPW35N60C3

305011
45,20 BYN
Маркировка: 35N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.6 A Максимальная температура канала...
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BC857CW
Биполярные транзисторы

Транзистор BC857CW

275125
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2555
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2555

312467
16,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 Корпус: TO-3P
Транзистор 2SC3377
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3377

303765
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45 Корпус...
Транзистор 2SC2808
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2808

303635
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор BUT18A to220
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT18A to220

293087
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D2166
Биполярные транзисторы

Транзистор D2166

275650
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BD138-10
Каталог

Транзистор BD138-10

303736
0,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 63 до 160 Корпус: TO-126
Транзистор BU626A
Биполярные транзисторы

Транзистор BU626A

275249
21,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD882 to126
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD882 to126

292942
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.