Транзистор 2SB1625

Транзистор 2SB1625

Артикул: 275083

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000

9,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275083
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор П701А
Транзисторы отечественные

Транзистор П701А

259853
9,90 BYN
Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.
View
Транзистор 2SC2456
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2456

303612
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор TPC8032
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8032

276748
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SC536
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC536

304134
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SK1023
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1023

304692
34,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3328Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3328Y

303760
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SA1208
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1208

302890
1,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150...
View
Транзистор TT2144
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2144

275822
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор BDW83C
Биполярные транзисторы

Транзистор BDW83C

275163
28,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1446
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1446

304309
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
View
Транзистор 2SA1124
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1124

290259
12,00 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная...
View
Транзистор 11032
Биполярные транзисторы

Транзистор 11032

274924
48,64 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 50 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
View
Транзистор 2SD313
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD313

260214
3,30 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц...
View
Транзистор TIP116
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP116

275806
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BC847C
Биполярные транзисторы

Транзистор BC847C

275123
0,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1407
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1407

304303
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.