Транзистор BCX17.215

Транзистор BCX17.215

Артикул: 303951

 Двухполюсный плоскостной транзистор 

1,08 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Частота80 MHz

Количество Стежков3

ПолярностьPNP, P-Channel

Рассеяние Мощности250 mW

Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания80 MHz

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)45 V

hFE Min100 @100mA, 1V

Максимальная входная мощность250 mW

Усиление постоянного тока (hFE)100

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)65 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)250 mW

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов3

Корпус/ПакетSOT-23-3

размеры

Длина3 mm

Ширина1.4 mm

Высота1 mm

Корпус/ПакетSOT-23-3

физическое

Рабочая Температура150℃ (TJ)

303951

Просмотренные товары

Транзистор AO3414
Полевые транзисторы

Транзистор AO3414

293007
1,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1010
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1010

303118
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3788E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3788E

303791
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор A1241
Биполярные транзисторы

Транзистор A1241

274980
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор D2389
Биполярные транзисторы

Транзистор D2389

275655
24,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 160 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 30000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц TO3PFM
View
Транзистор 2SC3074
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3074

275349
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3447
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3447

303769
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D1877
Биполярные транзисторы

Транзистор D1877

275629
5,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1186A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1186A

312450
4,48 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200 Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус:...
View
Транзистор BD675
Биполярные транзисторы

Транзистор BD675

275147
5,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.