Транзистор 2SC3293

Транзистор 2SC3293

Артикул: 303753

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000

Корпус транзистора: TO220

16,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303753

Просмотренные товары

Микросхема SN74123P
Микросхемы импортные

Микросхема SN74123P

292838
12,00 BYN
Максимальный выходной ток высокого уровня -0.8mA Максимальная рабочая температура +70 °C Количество элементов на ИС 2 Длина 19.3мм Минимальное рабочее напряжение питания 4,75 В Максимальное время задержки распространения при максимальной CL 40 ns @ 5 V Производитель Texas Instruments Тип корпуса PDIP Тип монтажа Монтаж на плату в...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор NJW0281G to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0281G to3p

293330
42,40 BYN
Наименование производителя: NJW0281G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 2SD2581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2581

304559
13,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD751
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD751

304632
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D1991
Биполярные транзисторы

Транзистор D1991

275637
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40 MT 1
View
Транзистор 2SA1202
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1202

302888
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1266
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1266

264633
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
View
Транзистор BCX71G
Биполярные транзисторы

Транзистор BCX71G

303728
0,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -45 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220 Корпус: SOT-23
View
Транзистор 2SC5597
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5597

275531
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор KTA1266Y
Биполярные транзисторы

Транзистор KTA1266Y

311604
0,40 BYN
Наименование производителя: KTA1266 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70 Корпус транзистора: TO92
View
Транзистор 2SB816
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB816

303255
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.