Транзистор IKW30N60H3

Транзистор IKW30N60H3

Артикул: 311654

Наименование: IKW30N60H3

Маркировка: K30H603

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Тип корпуса: TO247

26,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311654

Просмотренные товары

Транзистор H19NM50 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H19NM50 to247

293176
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор NTD4804N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

293333
9,20 BYN
Наименование прибора: NTD4804N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A Максимальная температура...
View
Транзистор 2Т321А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321А Ni

300969
0,80 BYN
Транзисторы 2Т321А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
View
Микросхема 512ПС10 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 512ПС10 Au

300036
27,00 BYN
Микросхема 512ПС10 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View
Микросхема К1533 ИР 23
Микросхемы отечественные

Микросхема К1533 ИР 23

274913
4,00 BYN
 Восьмиразрядный регистр КР1533ИР23 (К555ИР23) [1] с тактируемыми триггерами принимает и отображает информацию синхронно с положительным перепадом на тактовом входе C. Выходные буферные усилители регистра находятся в третьем Z-состоянии и применяются для накопления и сдвига параллельных данных.     Если выходы каждого триггера соединить с входом...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC1684
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1684

303500
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BLT80/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BLT80/T1

275208
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25...
View
Транзистор D2560
Биполярные транзисторы

Транзистор D2560

275665
8,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D2458
Биполярные транзисторы

Транзистор D2458

275658
7,84 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N5401 SOT23
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 SOT23

290170
0,32 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...
View
Транзистор 2SC5801
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5801

275549
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SB1091
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1091

303122
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SC3749
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3749

303787
8,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1560
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1560

292803
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 170...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.