Транзистор BC847B (C) (1F,1G)

Транзистор BC847B (C) (1F,1G)

Артикул: 270456

NPN 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450

0,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
270456
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема КА561ИЕ15А
Микросхемы отечественные

Микросхема КА561ИЕ15А

310617
5,00 BYN
— интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемый счетчик. Микросхемы выполнены в пластиковом корпусе 405.24-7. Тип прибора указывается на пластиковой части корпуса. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125...
View
Транзистор 2Т506Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Au

301012
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BU2527AF
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2527AF

275227
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf...
View
Транзистор 2SA1490
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1490

292802
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
View
Транзистор BU2506DX
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2506DX

312587
16,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf Статический коэффициент...
View
Транзистор 2SD428
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD428

312540
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 140 Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц Корпус: TO-3
View
Транзистор BC618
Биполярные транзисторы

Транзистор BC618

275112
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2335-Y (R)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2335-Y (R)

266695
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2481
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2481

275335
3,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO126
View
Транзистор 2SC2921
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2921

275347
17,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18 MT-200
View
Транзистор 2SA1727
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1727

303029
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280...
View
Транзистор 2SA1524
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1524

303005
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.