Биполярные транзисторы

Транзистор BD675

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD676

275148

1,16 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD677

275149

3,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD678

275150

2,64 BYN

Корпус TO-126Вес 0,8 гPNP, 60V, 4A, 40W, 1MHz, 150*C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD678G

303974

2,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BD679

275156

4,20 BYN

NPN, 80V, 4A, 40W, 1MHz, 150*C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD680

275157

1,36 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 TO126

Биполярные транзисторы

Транзистор BD681

275158

1,96 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD682

275159

1,36 BYN

Корпус TO-126Вес 0,8 гPNP D Darl, 100V, 4A, 20W

Биполярные транзисторы

Транзистор BD839

275160

2,16 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD901

303743

11,20 BYN

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 Корпус: TO-220

Биполярные транзисторы

Транзистор BD909

275161

3,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD910

303975

16,00 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BD911

293074

2,52 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD912

274222

3,72 BYN

PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)

Биполярные транзисторы

Транзистор BD943

275162

2,16 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор BD948

303976

6,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDP285

303977

10,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDP949H6327XTSA1

303978

5,40 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDP954

303744

1,36 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 475 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223

Биполярные транзисторы

Транзистор BDV66C

303979

25,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDW42G

303980

5,40 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDW46

303981

10,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор BDW83C

275163

28,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Показано 1825-1848 из 2629