Транзистор D1275

Транзистор D1275

Артикул: 275586

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B>1000

2,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275586
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3152
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3152

303665
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD965R to92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD965R to92

292943
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 340 до 600 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SD1392
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1392

304298
22,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор ST1802FX
Биполярные транзисторы

Транзистор ST1802FX

275790
6,08 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 57 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD2583
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2583

304561
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC4927
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4927

292881
11,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Транзистор BSP171 sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP171 sot223

293079
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.9 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Транзистор 2SC103 M(T)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC103 M(T)

275286
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.