Транзистор D1402

Транзистор D1402

Артикул: 275593

Корпус TO-3P
Вес 7 г
NPN 1500V, 5A, 120W

8,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275593
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор BD676
Биполярные транзисторы

Транзистор BD676

275148
1,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SK1378
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1378

304722
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 170 pf...
View
Тиристор КУ110А,В
Тиристоры отечественные

Тиристор КУ110А,В

264314
10,00 BYN
Тиристоры кремниевые КУ110А, планарные, p-типа, триодные, незапираемые.Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора приводится на корпусе.Масса тиристора не более 2 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MJE15031G to220
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE15031G to220

293318
8,40 BYN
Наименование производителя: MJE15031G Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
View
Транзистор 2SC3229
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3229

303692
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
View
Транзистор 2SA1270
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1270

264644
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf Статический...
View
Транзистор 2SC1573B
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1573B

303493
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.065 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SA992
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA992

280479
0,72 BYN
Характеристики транзистора 2SA992 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 800 Граничная частота...
View
Транзистор 2SD1877
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1877

304484
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор TIP50
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP50

302579
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1402
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1402

304299
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD2089
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2089

260207
23,10 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор KTD2058Y
Биполярные транзисторы

Транзистор KTD2058Y

311610
4,20 BYN
Наименование производителя: KTD2058 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
View
Транзистор 2SC536
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC536

304134
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.