Транзистор TK10A50D

Транзистор TK10A50D

Артикул: 266711

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

8,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10

Максимальная температура канала (Tj):

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.72

Тип корпуса: TO220SIS

266711
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BUZ71A
Полевые транзисторы

Транзистор BUZ71A

276296
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 450 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRL3502
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3502

265863
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор P3055LDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P3055LDG dpak (to252)

293341
4,80 BYN
Наименование прибора: P3055LDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6 ns...
Транзистор IRF9953
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9953

276428
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC Выходная емкость (Cd): 190...
Транзистор H7N90 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H7N90 to220

293234
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Транзистор STP120NF10 (120NF10)
Полевые транзисторы

Транзистор STP120NF10 (120NF10)

265449
13,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AP0803GMT pmpak 5x6
Полевые транзисторы

Транзистор AP0803GMT pmpak 5x6

293044
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29.7 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304694
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор IRF7379
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7379

276401
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 5N62K3
Полевые транзисторы

Транзистор 5N62K3

276046
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 620 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SPD30P06P
Полевые транзисторы

Транзистор SPD30P06P

305010
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.