Транзистор 2SK3746

Транзистор 2SK3746

Артикул: 304874

Маркировка: K3746

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 37.5 nC

Время нарастания (tr): 37 ns

Выходная емкость (Cd): 70 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 13 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

37,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304874

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор 11N65B

275876
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор 2SK3354
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3354

304854
8,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 83 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 106 nC Время нарастания (tr): 1500...
Транзистор H4N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220f

293200
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
Транзистор FDD6685 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6685 dpak (to252)

293101
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AP4501GSD dip
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GSD dip

293048
8,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(7) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор 2SJ175
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ175

304656
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 460 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.