Транзистор IRF9Z14

Транзистор IRF9Z14

Артикул: 303276

Труба MOS

16,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
-60.0 V
Номинальный Ток
-6.70 A
Полярность
P-Channel
Рассеяние Мощности
43.0 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
-60.0 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
-60.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
-6.70 A
Время Нарастания
63.0 ns
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220
размеры
Корпус/Пакет
TO-220
303276

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7201
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7201

276391
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор CEB703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEB703AL

311872
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STF8NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор STF8NM60ND

312042
7,20 BYN
Маркировка: 8NM60ND Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор FDD6635
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6635

265796
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

282624
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRLR7843
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR7843

276542
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 161 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор BSX60
Полевые транзисторы

Транзистор BSX60

276288
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
Транзистор IRL540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRL540N

266068
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 49.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.